1、氮氣-N2，純度要求>99．999%，用作標準氣體、在線儀表標準氣、校正氣、零點氣、平衡氣；用于半導體器件制備工藝中外延、擴散、化學氣相淀積、離子注入、等離子干刻、光刻，退火 搭接、燒結等工序；電器、食品包裝，化學等工業也要用氮氣。
2、氧氣-O2,>99．995％，用作標準氣體、在線儀表標準氣體、校正氣、零點氣；還可用于醫療氣，在半導體器件制備工藝中用于熱氧化，擴散、化學氣相淀積、等離子干刻等工序，以及用于光導纖維的制備。
3、氬氣-Ar，>99．999％，用作標準氣體、零點氣、平衡氣；甩于半導體器件制備工藝中晶體生長、熱氧化、外延，擴散、氮化，噴射，等離子干刻、載流、退火搭接，燒結等工序；特種混合氣與工業混合氣也使用氬。
4、氫氣-H2,> 99.999%，用作標準氣體、零點氣、平衡氣、校正氣、在線儀表標準氣; 在半導體器件制備工藝中用于晶體生長，熱氧化，外延、擴散、多晶硅、鎢化、離子注入、載流、燒結等工序；在化學，冶金等工業中也有用。
5、氦氣-He，>99.999% ，用作標準氣體、零點氣 平衡氣，校正氣、醫療氣、用于半導體器件錯備工藝中晶體生長，等離子干刻 載流等工序；另外，特種混合氣與工業混臺氣也常用．
6、氯氣-Cl2，>99.86 ％，用作標準氣體，校正氣,用于半導體器件制備工藝中晶體生長、等離子干刻、熱氧化等工序；另外，用于水凈化，紙漿與紡織品的漂白、工業廢品、污水、 游泳池的衛生處理，制備許多化學產品。
7、氟氣-F2，>98% 用于半導體器件制備工藝中等離子干刻；另外，用于制備六氟化鈾、六氟化硫、三氟化硼和金屬氟化物等。
8、氨氣-NH3，>99.995％，用作標準氣體、校正氣、在線儀表標準氣；用于半導體器件制備工藝中氮化工序，另外，用于制冷、化肥，石油、采礦、橡膠等工業。
9、氯化氫-HCI，>99.995% ，用作標準氣體,用于半導休器件制備工藝中外延、熱氧化、擴散等工序；另外，用于橡膠氯氫化反應中的化學中間體、生產乙烯基和烷基氯化物時起氧氯化作用。
10、一氧化氮-N0，>99％，用作標準氣體，校正氣；用于半導體器件制備工藝中化學氣相淀積工序，制備監控大氣污染的標準混合氣。
11、二氧化碳-CO2，>99.99% ，用作標準氣體、在線儀表標準氣體，校正氣;用于半導體器件制備工藝中氧化，載流工序，另外，還用于特種混合氣、發電，氣體置換處理、殺菌氣體稀釋劑、滅火劑、食品冷凍、金屬冷處理 ，飲料充氣，煙霧噴射劑，食品貯存保護氣等。
12、氧化亞氮-N2O，(即笑氣)，>99.999% 用作標準氣體、醫療氣; 用于半導體器件制備工藝中化學氣相淀積、醫用麻醉劑、煙霧噴射劑、真空和帶壓檢漏，紅外光譜分析儀等也用。
13、硫化氫-H2S，>99.999％，用作標準氣體，校正氣，用于半導體器件制備工藝中等離子干刻，化學工業中用于制備硫化物，如硫化鈉， 硫化有機物；用作溶劑；實驗定量分析用。
14、四氯化碳-CCl4,>99.99％，用作標準氣體, 用于半導體器件制備工藝中外延，化學氣相淀積等工序；另外用作溶劑，有機物的氯化劑，香料的浸出劑，纖維的脫脂劑、滅火劑、分析試劑、制備氯仿和藥物等。
15、氰化氫-HCN，>99.9%，用于半導體器件制備工藝中等離子干刻工序；制備氫氰酸溶液；金屬氰化物、氰氯化物；也用于制備丙烯腈和丙烯衍生物的合成中間體。
16、碳酰氟-COF2，>99.99% ，用于半導體器件制備工藝中等離子干刻工序；另外；用作氟化劑。
17．碳酰硫-COS，>99.99% ，用作校正氣;用于半導體器件制備工藝中離子注入工序; 也用于有些羧基、硫代酸、硫代碳酸鹽和噻唑的合成。
18．碘化氫-HI，>99.95% ，用于半導體器件制備工藝中離子注入工序;還用于氫碘酸溶液制備。
19．溴化氫-HBr，>99.9％，用于半導體制備工藝中等離子干刻工序；用作還原劑，制備有機及無機溴化合物。
2O，硅烷-SiH4，>99.999％，電阻率>100Ω /cm2 ，用于半導體器件制備工藝中外延、化學氣相淀積等工序。
21．乙硅烷-Si2H6 ，>99.9% ，用于半導體制備工藝中化學氣相淀積
22．磷烷-PH3,>99.999% ，用于半導體器件制備工藝中外延、擴散、化學氣
相淀積、離子注入等工序：磷烷與二氧化碳混合的低濃度氣體，可用于殺死糧倉的蟲卵和制備阻火化合物。
23．砷烷-AsH3，>99.999% ，用于半導體器件制備工藝中外延、擴敷、化學氣相淀積、離子注入等工序。
24．硼烷-B2H6 ，>99.995% ，用于半導體器件制備工藝中外延、擴散、氧化等工序；用于有些化學工業合成過程：如氫硼化反應(即生成醇類)，有機功能的衰退，制備較高的硼烷衍生物和碳甲硼烷化合物。
25．鍺烷-GeH4 ，>99.999% ，用于半導體器件制備工藝中外延、離子注入工序。
26．銻烷-SbH3 ，>99.999％，用于半導體器件制備工藝中外延、離子注入工序。
27．四氧甲硅烷-si(OC2H5)4，>99.99‰ 用于半導體器件制備工藝中化學氣相淀積工序。
28．乙烷-C2H6，>99.99％，用作標準氣、校正氣、在線儀表標準氣;用于半導體器件制備工藝中等離子干刻工序;還用于冶金工業的熱處理，化學工業中制備乙醇、氧化乙二醇、氯乙烯、高醇類、乙醛等。
29．丙烷-C3H8，>99.99% ，用作標準氣、校正氣、在線儀表標準氣;用于半導體器件制備工藝中等離子干刻工序;另外，用于燃料、冷凍劑、制備乙烯與丙烯的原料。
30．硒化氫-H2Se，>99.999% ，用于半導體器件制備工藝中擴散、離子注入工序．
31．碲化氧-H2Te，>99.999％，用于半導體器件制備工藝中擴散、離子注入工序.
32．二氯二氫硅-siH2cl2，>99.999％，用于半導體器件制備工藝中外延、化學氣相淀積工序。
33．三氯氫硅-siHCl3，>99.999% ，用于半導體器件制備工藝中外延、化學氣相淀積工序。
34．二甲基碲-(CH3)2Te，>99.999% ，用于半導體器件制備工藝中擴散．離子注入工序。
35．二乙基碲-(C2H5)2Te，>99.999% ，用途同(34)。
36．二甲基鋅-(CH6)2Zn，>99.999% ，用于半導體器件制備工藝中化學氣相淀積工序。
37．二乙基鋅->99.999% ，用途同(36)。
38．三氯化磷-Pcl3，>99.99% ，用于半導體器件制備工藝中擴散，鍺的外延生長和離子注入工藝-PCI 是有機物的良好氯化劑，也用于含磷有機物的合成。
39．三氯化砷- AsCl3，>99.99％，用于半導體器件制備工藝中的外延和離子注入。
40．三氯化硼-Bcl3，>99.99％，用于等離子干刻、擴散;作硼載氣及一些有機反應的催化劑|精煉鎂、鋅、鋁、銅合金時從溶化金屬中除掉氮、碳，氧化合物。
41、四氯化硅-SiCl4，>99.999% ，用于半導體器件制備工藝中外延、化學氣相淀積工序。
42、四氯化錫-SnCl4，>99.9% ，用于外延，離子注入。
43、四氯化鍺-Gecl4 ，>99.999％，用于離子注入。
44、四氯化鈦-TiCl4，>99.99％，用于等離子干刻。
45、五氯化磷-PCl5 ，>99.99％，用于外延、離子注入。
46、五氯化銻-SbCl6 ，>99.99％，用于外延、離子注入。
47、六氯化鉬-MoCl6 ，>99.9% ，用于化學氣相淀積。
48、三溴化硼-BBr3，>99.99% ，用于半導體器件制備工藝中離子注入工序和制備光導纖維。
49、三溴化磷-PBr3 ，>99.99％，用于外延、離子注入。
50、磷酰氯-POCl3，>99.999％，用于擴散工序。
51、三氟化硼-BF3，>99.99％，用于離子注入，另外，可作載氣、某些有機反應的催化劑，精煉鎂，鋅、鋁、銅合金時從熔化金屬中除掉氮，氧、碳化物。
52、三氟化磷-PF3，>99% ，用于外延、離子注入工序；另外用作氟化劑。
53、三氟化砷-AsF3，>99.9% ，用途同(12）
54、二氟化氙-xeF2，>99.9% ，用于外延、離子注入工序，用于固定模具氙的考察及原子反應堆排放廢氣中氙的測定。
55、三氟氯甲烷-(R一13)，99.995%，用于等離子干刻工序；冷凍劑、空調均可用。
56、三氟甲烷-CHF3，(R一23)，>99.999％， 用于等離子干刻工序；低溫冷凍劑。
57、三氟化氮-NF3，>99.99％，用于等離子干刻工序|火箭推進劑、氟化劑。
58、三氟溴甲烷-CBrF3 ，(R13B1)，>99.99% ，用于等離子干刻工序;還用于空調、低溫冷凍及滅火劑。
59、三氟化硼，>99.99% ，用于離子注入工序；還用于制備光導纖維。
60、四氟化碳- CF4 ，(R一14)，>99.99% ，用于等離子干刻工序；在很低溫度下作為低溫流體用，也用于中性及惰性氣體。
